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关于“复合中心”，以下说法正确的是：

答案: 复合中心能级在禁带中线附近时，最有利于复合

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相关试题

关于“陷阱”，以下说法正确的是：

答案: 在费米能级附近时，最有利于陷阱效应

关于“面注入的一维平面扩散”，以下说法错误的是：

答案: 样品非常薄时，非平衡载流子边扩散边复合到达样品另一端

对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：

答案: 平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动

n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：非均匀半导体材料，外加均匀电场，t=0时停止表面光照]

答案:

n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：均匀半导体材料，外加均匀电场，光照在半导体材料中均匀产生非平衡载流子]

答案:

关于“载流子的扩散运动”，以下说法正确的是:

答案: 载流子在浓度梯度作用下的定向运动;
均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动;
不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动

关于“爱因斯坦关系”，以下说法正确的是:

答案: 反映了载流子的迁移率和扩散系数之间的关系;
反映了载流子的漂移运动和扩散运动之间的内在联系;
仅适用于非简并半导体

处于热平衡状态的半导体，应满足以下条件或符合以下特征：

答案: 无外界作用;
有确定的载流子浓度;
有统一的费米能级;
载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

处于非平衡状态的半导体，应满足以下条件或符合以下特征：

答案: 有外界作用;
导带和价带之间没有统一的费米能级;
载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方

关于准费米能级，以下说法正确的是：

答案: 电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度;
多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小;
少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

关于“间接复合”，以下说法正确的是：

答案: 间接复合是通过复合中心完成的复合;
表面复合也是间接复合;
间接复合过程中，电子先从导带跃迁到复合中心能级，再跃迁到价带与空穴复合

n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：均匀半导体材料，无外加电场，光照稳定并在半导体材料中均匀产生非平衡载流子]

答案:

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